分光光度法测定碱性无汞电池中铟的含量

研究了在硫酸介质中，非离子型表面活性剂PVA存在下，乙基罗丹明B络阳离子与InI4^-络阴离子所形成的离子缔合物分散在水相中，形成了胶束增溶显色体系，缔合物的最大吸收波长位于602nm处，方法的表观摩尔吸光系数为ε’602=1．58×10^5L·mol^-1·cm^-1，铟含量在0-11μg／10mL范围内服从比尔定律，用于碱性无汞电池样品中铟的测定，相对标准偏差为1．9％（n=4），加标回收率为95％-107％，比对实验结果吻合．     

氧化铟锡薄膜在光学太阳反射镜上的应用

研究了光学太阳反射镜抗静电放电用氧化铟锡薄膜的设计原则.理论分析和实验结果表明,在将氧化铟锡(ITO)薄膜应用于光学太阳反射镜(OSR)表面防静电放电时,ITO薄膜的表面方阻R□不能小于5 kΩ@□-1,否则会导致OSR的太阳光谱吸收率增加.建议取R□=5～106kΩ@□-1,薄膜厚度d=(150～200)×10-10 m.同时必须保证ITO薄膜接地效果良好,否则会使OSR表面充放电现象更加严重.     

芝麻茎端结构及茎初生组织分化的研究

芝麻的茎端具有明显的原套、原体结构和细胞组织学的分区界线。这种结构特点在双间隔期的晚期表现得最为突出。茎端的高度和宽度随着叶龄的增加而略有加大，但高、宽比则基本上无变化、茎的原表皮由原套的最外层细胞分化发育而来，皮层母细胞由周缘区的较外侧及原套的内层细胞分化发育而来，髓母主要由肋状分生组织区的细胞产生，但也有少部分来源于周缘区的内侧细胞。原形成层在顶端分生组织之下叶原基起源的地方发生。在某一原形成层束内，最早分化的是原生韧皮部，其次是原生木质部，后生木质部分化最晚。     

热处理对直流磁控溅射ITO薄膜光电学性质的影响

利用直流磁控溅射在石英衬底上沉积透明导电的掺锡氧化铟（ITO）薄膜，在相同条件下制备了两种不同溅射时间（30、10min）的样品，样品在400℃的大气中进行1h退火处理．利用分光光度计测量薄膜的正入射透射光谱，并拟合透射光谱得到薄膜的折射率、消光系数及厚度；用Van der Pauw方法测量薄膜电学性质，包括载流子浓度、载流子迁移率和电阻率．实验结果显示退火处理对ITO薄膜的光学、电学性质有重要影响，退火样品在可见光区域的透过率明显提高，且光学吸收边向长波方向移动；然而，退火前薄膜的电学性能更好．     

等温平台石墨炉原子吸收光谱法测定高纯铟中痕量杂质铅和砷

利用石墨炉原子吸收法，在等温平台条件下利用标准加入法直接测定了高纯铟中的痕量杂质铅和砷．并对石墨炉加热程序中的干燥时问、灰化温度及原子化温度进行了优化，同时也考察了介质酸度的影响．本方法中铅和砷的特征质量分别为37．8pg和40．7pg，相对标准偏差平均值分别为2．8％和2．0％，加标回收率分别为85．6％～95．4％和97．3％～105．0％，是测定高纯铟中杂质铅和砷的一种简单、快速、准确的方法．     

印度块菌粗多糖的提取及抗氧化活性研究

采用正交试验研究了热水浸提法提取印度块菌(Tuberindicum Cooke&Massee)子实体粗多糖(TICP)的最优工艺,根据方差分析结果确定了热水浸提法的最优工艺为:料液比1∶15,提取时间120 min,提取温度100℃,提取2次,多糖提取率为6.790 2%.用95%乙醇对粗多糖进行醇沉,然后利用总抗氧化能力(T-AOC)测定法、羟基自由基(OH.)清除法、铁离子螯合能力及测定还原能力等方法对上述印度块菌粗多糖的抗氧化活性进行评价,结果显示块菌粗多糖对羟基自由基的清除活性最高,其EC50值为0.26 mg/mL,其次为还原能力和铁离子螯合能力,其EC50值分别为1.15 mg/mL、2.80 mg/mL,同时块菌粗多糖具有较好的总抗氧化能力(T-AOC),当浓度为20 mg/mL时,其总抗氧化能力为72.06 U/mL.     

火焰原子吸收分光光度法测定尾砂矿中的微量铟

以HCl、HNO3、HF、HClO4溶解样品,釆用火焰原子吸收分光光度法测定尾砂矿中的铟含量,对仪器的工作条件和反应条件进行了选择和优化。该方法线性范围为0～10μg.ml-1,线性方程y=0.001809＋0.01497x,相关系数为0.9994,检出限0.090μg.ml-1,RSD=1.39%,回收率96.0%～106.0%。该方法操作简便,准确度和精密度能够满足分析要求。     

从含Sn,Zn,Cu,Pb,In的盐酸溶液中用TBP萃取Sn

文题的最佳工艺条件为:25%TBP-10%癸醇-65%煤油,3mol/LHCl,20～30℃。负载有机相中的杂质离子Zn~(2+),Cu~(2+),In~(3+),Pb~(2+)用约5mol/L盐酸洗涤除去。负载有机相中的Sn~(4+)用0.24mol/L HCl反萃。萃取及反萃取的理论级数分别为2和7级。     

直流磁控溅射氧化铟锡薄膜的低温等离子退火研究

提出了一种可显著改善室温下直流磁控溅射氧化铟锡(ITO)薄膜晶体结构、光学和电学性能的后处理方法,将ITO薄膜分别置于氩气、氨气和氧气中进行低温等离子体退火处理.同单纯的退火处理相比,在3种气氛下,低温等离子退火均可使室温溅射沉积的ITO薄膜在相对低的温度(150℃)时,由非晶态转变为晶态,其相应的电学和光学性能都有较大的提高.实验证明:氨气气氛下退火温度为350℃时,玻璃衬底上ITO薄膜在波长为600 nm的可见光区内的透光率可达88.5%;薄膜表面的针刺很少,表面平整度小于2.08 nm;方块电阻由348.7Ω降到66.8Ω,相应的电阻率由4.1×10-3Ω.cm降到7.9×10-4Ω.cm.该方法更能满足柔性有机聚合衬底的ITO薄膜对低温退火的要求.